Нитрид бора (BN) является привлекательным материалом для полупроводниковой промышленности, поскольку из него можно формировать слои изолятора толщиной всего один атом. Однако пока нет пригодной для использования в серийном производстве технологии формирования таких пленок.

Прорыв в этой области, похоже, удалось совершить группе исследователей, возглавляемой технологическим директором TSMC и профессором университета NCTU. Тайваньские ученые нашли способ синтеза слоев нитрида бора толщиной в один атом на полупроводниковой пластине и продемонстрировали его эффективность в улучшении характеристик 2D-транзисторов.

Это важное достижение, поскольку другие существующие технологии не позволяют формировать монокристаллы BN такого качества, чтобы они были пригодны для применения в промышленном производстве. Участники проекта отмечают, что для доведения технологии до коммерческого применения необходимы дополнительные исследования.