- L3Harris продаёт контрольный пакет бизнеса... (427)
- Мини-ПК пониже на 65 Вт и мини-ПК повыше на... (296)
- Китайские мегасозвездия Guowang и Qianfan... (301)
- 3 литра объёма и процессор с мощным iGPU и... (632)
- Microsoft наконец-то дала возможность... (433)
- iGPU Arc B390 в процессорах Core Ultra 3 —... (671)
- Xiaomi идет по стопам Huawei: компания... (781)
- Стало известно, когда AMD выпустит... (384)
- Audi испытала двигатель Формулы-1 2026 года... (436)
- Блоки питания и кулеры тоже подорожают.... (698)
- xAI Илона Маска зафиксировала рекордный... (293)
- В Китае запущена самая мощная в мире... (498)
- SpaceX запустила в космос... (582)
- Самый дальнобойный гибридный автомобиль в... (580)
- Очень тонкий корпус 6,1 мм, 5500 мАч, 80 Вт,... (454)
- Рассекречен новый Volkswagen Tayron L PHEV:... (628)
Новые системы Applied Materials для полупроводникового производства помогут перейти к использованию 200-миллиметровых пластин SiC
Дата: 2021-09-12 12:08
Компания Applied Materials, специализирующаяся на выпуске оборудования для полупроводникового производства, на этой неделе представила два новых изделия. Это системы, предназначенные для работы с пластинами карбида кремния (SiC), используемого для изготовления силовых полупроводниковых приборов. По словам Applied Materials, новые системы помогут производителям перейти от использования 150-миллиметровых пластин к использованию 200-миллиметровых пластин. Указанный переход примерно вдвое увеличивает выход продукции в расчете на одну пластину, позволяя удовлетворять растущий спрос на силовые компоненты для электромобилей.
В системе химико-механической планаризации (CMP) Mirra Durum объединены операции полировки, контролируемого удаления материала, очистки и сушки пластины. Как утверждается, новая система продемонстрировала 50-кратное снижение шероховатости поверхности готовой пластины по сравнению с механически шлифованными пластинами SiC и трехкратное снижение шероховатости по сравнению с системами пакетной CMP.
Система «горячей» ионной имплантации VIISta 900 3D, рассчитанная на пластины SiC диаметром 150 и 200 мм, позволяет легировать полупроводниковый кристалл с минимальным повреждением кристаллической решетки, что приводит к снижению удельного сопротивления более чем в 40 раз по сравнению с имплантацией при комнатной температуре.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Apple уволила топ-менеджера, над которой издевались другие сорудники
Apple уволила старшего менеджера Эшли Гьёвик (Ashley Gjovik) за якобы нарушение правил компании, запрещающих утечку конфиденциальной информации. В течение нескольких месяцев Гьёвик открыто писала в Twitter о домогательствах, слежке и проблемах с безопасностью на рабочем месте. Когда в марте я начала поднимать вопрос о безопасности на рабочем месте и почти сразу же столкнулась...
Дискретные видеокарты Intel не смогут составить конкуренцию решениям AMD и Nvidia
Согласно сведениям инсайдеров, Intel не удалось создать полноценного конкурента лучшим видеокартам Nvidia и AMD. По новой информации, флагманская видеокарта Intel Arc будет иметь производительность на уровне GeForce RTX 3070 от NVIDIA и Radeon RX 6700 XT от...
Китайские пользователи возмутились из-за флага Тибета в игре Life is Strange: True Colors
Пользователи из Китая начали массово занижать рейтинг Life is Strange: True Colors по причине увиденного в игре флага Тибета 10 сентября на странице в сервисе
Первым покупателям iPhone 13 предложили зарядное устройство в подарок
Напомним, что по последним данным, в основу линейки iPhone 13 ляжет чип Apple A15. Главные же изменения стоит ждать в Pro-версиях аппарата. iPhone 13 Pro, вроде как, оснастят LTPO-дисплеем с частотой обновления до 90 Гц, а iPhone 13 Pro Max — до 120...