- Новая статья: Halo: Campaign Evolved — по... (876)
- Tencent потратила шесть лет и сотни... (736)
- Слухи о неуёмной прожорливости чёрных дыр... (677)
- Asus и XFX выпустили свои варианты Radeon RX... (1020)
- Sony продала в прошлом квартале на 36 %... (1146)
- Новейшие китайские электромобили способны... (994)
- С 2023 года техногиганты потратили на... (781)
- «Первая игра за долгие годы, которую купил... (1145)
- Издатель апокалиптического вестерна Guns of... (1132)
- Вредоносное ПО научилось использовать ИИ... (971)
- Квартальная выручка Sony выросла почти на... (875)
- Эмуляция PS5 покорила новый рубеж: отдельные... (1621)
- Microsoft за год запустила 88 дата-центров и... (469)
- «Худшее, что можно было сделать с игрой»:... (967)
- MediaTek выделит $5 млрд на разработку... (1529)
- Напечатанная на 3D-принтере метровая труба... (1433)
Новые системы Applied Materials для полупроводникового производства помогут перейти к использованию 200-миллиметровых пластин SiC
Дата: 2021-09-12 12:08
Компания Applied Materials, специализирующаяся на выпуске оборудования для полупроводникового производства, на этой неделе представила два новых изделия. Это системы, предназначенные для работы с пластинами карбида кремния (SiC), используемого для изготовления силовых полупроводниковых приборов. По словам Applied Materials, новые системы помогут производителям перейти от использования 150-миллиметровых пластин к использованию 200-миллиметровых пластин. Указанный переход примерно вдвое увеличивает выход продукции в расчете на одну пластину, позволяя удовлетворять растущий спрос на силовые компоненты для электромобилей.
В системе химико-механической планаризации (CMP) Mirra Durum объединены операции полировки, контролируемого удаления материала, очистки и сушки пластины. Как утверждается, новая система продемонстрировала 50-кратное снижение шероховатости поверхности готовой пластины по сравнению с механически шлифованными пластинами SiC и трехкратное снижение шероховатости по сравнению с системами пакетной CMP.
Система «горячей» ионной имплантации VIISta 900 3D, рассчитанная на пластины SiC диаметром 150 и 200 мм, позволяет легировать полупроводниковый кристалл с минимальным повреждением кристаллической решетки, что приводит к снижению удельного сопротивления более чем в 40 раз по сравнению с имплантацией при комнатной температуре.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Apple уволила топ-менеджера, над которой издевались другие сорудники
Apple уволила старшего менеджера Эшли Гьёвик (Ashley Gjovik) за якобы нарушение правил компании, запрещающих утечку конфиденциальной информации. В течение нескольких месяцев Гьёвик открыто писала в Twitter о домогательствах, слежке и проблемах с безопасностью на рабочем месте. Когда в марте я начала поднимать вопрос о безопасности на рабочем месте и почти сразу же столкнулась...
Дискретные видеокарты Intel не смогут составить конкуренцию решениям AMD и Nvidia
Согласно сведениям инсайдеров, Intel не удалось создать полноценного конкурента лучшим видеокартам Nvidia и AMD. По новой информации, флагманская видеокарта Intel Arc будет иметь производительность на уровне GeForce RTX 3070 от NVIDIA и Radeon RX 6700 XT от...
Китайские пользователи возмутились из-за флага Тибета в игре Life is Strange: True Colors
Пользователи из Китая начали массово занижать рейтинг Life is Strange: True Colors по причине увиденного в игре флага Тибета 10 сентября на странице в сервисе
Первым покупателям iPhone 13 предложили зарядное устройство в подарок
Напомним, что по последним данным, в основу линейки iPhone 13 ляжет чип Apple A15. Главные же изменения стоит ждать в Pro-версиях аппарата. iPhone 13 Pro, вроде как, оснастят LTPO-дисплеем с частотой обновления до 90 Гц, а iPhone 13 Pro Max — до 120...