- Без Exynos и не раньше февраля: Samsung... (191)
- Решение суда способствовало росту... (246)
- OpenAI увеличила прибыльность платных... (282)
- Sony и Honda анонсировали для электромобиля... (340)
- Отключение электроснабжения в Сан-Франциско... (344)
- LG намекнула, какие новые Tandem... (501)
- Белорусские планшеты H-Tab с аккумуляторами... (471)
- Lenovo покажет на CES 2026 ноутбук ThinkPad... (649)
- Manhart прокачала базовый BMW X6: карбон,... (630)
- Похоже, Samsung Galaxy S26 выйдут позже, чем... (472)
- Китайский премиум-кроссовер с полным... (752)
- Китайский премиум-кроссовер с полным... (471)
- Ушёл из Intel в AMD, а теперь из AMD в... (453)
- Xiaomi 17 Ultra засветился на качественных... (462)
- 200-мегапиксельная камера Leica на дюймовом... (589)
- Очень быстрые SSD, но без какого-либо... (602)
Новые системы Applied Materials для полупроводникового производства помогут перейти к использованию 200-миллиметровых пластин SiC
Дата: 2021-09-12 12:08
Компания Applied Materials, специализирующаяся на выпуске оборудования для полупроводникового производства, на этой неделе представила два новых изделия. Это системы, предназначенные для работы с пластинами карбида кремния (SiC), используемого для изготовления силовых полупроводниковых приборов. По словам Applied Materials, новые системы помогут производителям перейти от использования 150-миллиметровых пластин к использованию 200-миллиметровых пластин. Указанный переход примерно вдвое увеличивает выход продукции в расчете на одну пластину, позволяя удовлетворять растущий спрос на силовые компоненты для электромобилей.
В системе химико-механической планаризации (CMP) Mirra Durum объединены операции полировки, контролируемого удаления материала, очистки и сушки пластины. Как утверждается, новая система продемонстрировала 50-кратное снижение шероховатости поверхности готовой пластины по сравнению с механически шлифованными пластинами SiC и трехкратное снижение шероховатости по сравнению с системами пакетной CMP.
Система «горячей» ионной имплантации VIISta 900 3D, рассчитанная на пластины SiC диаметром 150 и 200 мм, позволяет легировать полупроводниковый кристалл с минимальным повреждением кристаллической решетки, что приводит к снижению удельного сопротивления более чем в 40 раз по сравнению с имплантацией при комнатной температуре.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Apple уволила топ-менеджера, над которой издевались другие сорудники
Apple уволила старшего менеджера Эшли Гьёвик (Ashley Gjovik) за якобы нарушение правил компании, запрещающих утечку конфиденциальной информации. В течение нескольких месяцев Гьёвик открыто писала в Twitter о домогательствах, слежке и проблемах с безопасностью на рабочем месте. Когда в марте я начала поднимать вопрос о безопасности на рабочем месте и почти сразу же столкнулась...
Дискретные видеокарты Intel не смогут составить конкуренцию решениям AMD и Nvidia
Согласно сведениям инсайдеров, Intel не удалось создать полноценного конкурента лучшим видеокартам Nvidia и AMD. По новой информации, флагманская видеокарта Intel Arc будет иметь производительность на уровне GeForce RTX 3070 от NVIDIA и Radeon RX 6700 XT от...
Китайские пользователи возмутились из-за флага Тибета в игре Life is Strange: True Colors
Пользователи из Китая начали массово занижать рейтинг Life is Strange: True Colors по причине увиденного в игре флага Тибета 10 сентября на странице в сервисе
Первым покупателям iPhone 13 предложили зарядное устройство в подарок
Напомним, что по последним данным, в основу линейки iPhone 13 ляжет чип Apple A15. Главные же изменения стоит ждать в Pro-версиях аппарата. iPhone 13 Pro, вроде как, оснастят LTPO-дисплеем с частотой обновления до 90 Гц, а iPhone 13 Pro Max — до 120...