- Supermicro представила Arm-серверы для... (962)
- Folio Photonics привлёк $8 млн и планирует... (1325)
- ИИ-бум за ближайшие пять лет разгонит спрос... (1634)
- Суровая средневековая Англия, возвращение к... (985)
- FirstVDS запустил vGPU-серверы на базе... (1338)
- Huawei начнёт поставлять ИИ-ускорители... (899)
- Huawei начнёт поставлять передовые... (870)
- Глава Nvidia призвал не бояться наблюдаемого... (919)
- Nvidia и SK hynix подписали соглашение о... (1049)
- Nvidia и SK hynix подписали соглашение о... (1148)
- Новый рекорд разгона памяти DDR5-13556 был... (1347)
- Новая статья: Ryzen и DDR5-6000 на чипах... (1430)
- Следующая часть Hellblade получила короткое... (1002)
- Владельцы PS5 останутся без Clockwork... (1317)
- Первое и последнее сюжетное дополнение к... (1285)
- Постапокалиптический шутер Metro 2039 выйдет... (1054)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...