- Хуанг пообещал, что Nvidia заработает $1... (17)
- Nvidia выручит до конца следующего года $1... (459)
- Владельцы Galaxy S26 Ultra в США сообщают,... (367)
- «Galaxy навсегда». Samsung представила новую... (478)
- Apple наконец признала устаревшими смартфоны... (328)
- Nvidia представила процессор Groq 3 LPU,... (351)
- Скорость чтения 28 ГБ/с и 192 ГБ памяти на... (358)
- Космический корабль «Прогресс МС-31»... (479)
- Nvidia выбрала Intel, а не AMD. Процессор... (460)
- «Космические вычисления уже здесь»: Nvidia... (433)
- Аппаратное шифрование AES XTS, стандарт FIPS... (316)
- Xiaomi представила мощный центральный... (509)
- Nvidia ударила по Intel и AMD: представлены... (313)
- Samsung не меняла ёмкость аккумуляторов в... (450)
- Вторая жизнь AMD AM4 во всей красе. Второе... (421)
- Новый GPU Nvidia Rubin состоит из 336 млрд... (335)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...