- Nvidia умолчала про цену ПК на чипах RTX... (1960)
- Японцы вырастили 1-нм полупроводниковые... (1081)
- Китайские исследователи перешли от инференса... (1274)
- Chieftec на Computex 2026: практичные... (1259)
- США ускорят разработку и внедрение ИИ в... (1217)
- Amazon разрешили запускать интенет-спутники... (1464)
- CATL нацелилась на литий-воздушные... (1316)
- SpaceX собирается до четверти всех средств в... (1409)
- M**a поставила на паузу проект разработки... (1144)
- Блокировки отдалили Россию от «цифрового... (2670)
- Прототип тихого лайнера NASA X-59 впервые... (1394)
- Создатели браузера Brave оценили в $60... (2308)
- Google согласовала аренду вычислительных... (1158)
- OpenAI уже больше года ведёт переговоры о... (1612)
- Американские производители чипов в пятницу... (2696)
- Премьера геймплея и дата выхода Star Wars... (1379)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...