- В России определили перспективный материал... (357)
- Samsung представила очень быструю память... (280)
- Telegram в России на грани... (466)
- Самый мощный смартфон на HarmonyOS: Huawei... (317)
- Фотофлагман Vivo X300 Ultra и X300s показали... (282)
- Прорывную батарею Donut Lab впервые испытали... (293)
- Новый смартфон Samsung с батареей 6000 мАч,... (189)
- В умном доме Яндекса обновилась линейка... (141)
- 120-герцевый LTPO OLED-дисплей ожидается в... (227)
- Отечественная альтернатива Google Play:... (158)
- Тренажеры для Российской орбитальной станции... (160)
- Тренажеры для Российской орбитальной станции... (269)
- Компактный алюминиевый мини-ПК с ручкой для... (314)
- Telegram оштрафовали на 35 млн рублей за... (280)
- Аккумулятор 8000 мАч, Dimensity 9500s,... (317)
- Micron запустила массовое производство... (156)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...