- Видеообзор MSI Modern 16S AI+: доступный... (8828)
- На китайский вторичный рынок хлынули... (6470)
- Компания, прославившаяся своими... (8355)
- Anthropic Claude научился отправлять письма... (6646)
- Официально представлен доступный смартфон... (8353)
- Nokia 125 4G 2nd Edition рассекречен —... (7709)
- На Тайване каждому гражданину страны подарят... (7224)
- На Тайване каждому гражданину страны подарят... (5162)
- После IPO в Шанхае акции производителя... (8413)
- Моет пол паром 180 °C и всасывает грязь при... (7751)
- 7 лет обновлений Android, сменный... (8644)
- Представлена камера Xiaomi за $60 с 4K,... (8669)
- Grok 4.6 Илона Маска оказался в 5 раз... (6615)
- В России серверы подорожали до 35 % из-за... (5337)
- Илон Маск не согласен с Goldman Sachs:... (8383)
- M**a отвергла обвинения в попытке... (8441)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...