- Кроссовер BMW проехал больше 1000 км без... (5919)
- В России стартовали продажи гибридного... (6141)
- Глава Xiaomi перешёл на новый смартфон и... (7111)
- «Мы не можем требовать $60 за игру на пять... (6326)
- Робот для эмоционального общения дешевле $15... (7091)
- «Яндекс» начал активно заполнять ИИ-поиск... (5965)
- Xiaomi рассказала, что не торопится... (5455)
- NASA впервые показало снимки кратера от... (5778)
- ИИ на самом деле не взбунтовался — он просто... (6074)
- Множество портов и новейший процессор... (5805)
- Автор утечек GTA VI не остановится, пока... (9052)
- Автоматизация коммуникаций: как бизнесу... (9374)
- Китайская частная ракета со второй попытки... (8307)
- Apple впервые признала, что нападки... (8556)
- Представлен ChatGPT для подростков... (7745)
- Новейшая память Samsung по технологии 1d нм... (9271)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...