- Китай разрешил ввоз чипов Nvidia... (8556)
- «Роскосмос» и NASA начали обсуждать, как... (7074)
- Анонсированы умные очки Blackview BV300 с... (9100)
- Гигантский Gigabay, где будут собирать... (5394)
- Космический конвейер Маска: SpaceX провела... (7901)
- OnePlus 16 получит экран Oriental Screen... (7437)
- Вдохновлённый System Shock космический... (9223)
- Серверы в России подорожали: в среднем на... (8581)
- Представлена недорогая и мощная вытяжка... (8699)
- Видеообзор MSI Modern 16S AI+: доступный... (9062)
- На китайский вторичный рынок хлынули... (6682)
- Компания, прославившаяся своими... (8570)
- Anthropic Claude научился отправлять письма... (6877)
- Официально представлен доступный смартфон... (8648)
- Nokia 125 4G 2nd Edition рассекречен —... (7854)
- На Тайване каждому гражданину страны подарят... (7390)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...