- В США в 2025 году сократили 55 тысяч рабочих... (1427)
- AMD опубликовала первые детали о Zen 6 —... (1462)
- Редкую Lada Tarzan 2 продают за 650 тыс.... (1148)
- Пользователь покупал обычные GeForce RTX... (1182)
- 190 л.с. и 8-ступенчатый «автомат» — за 28,8... (1670)
- Это уникальный концентрический... (1580)
- Продажи Land Rover в России в 2025 году... (1072)
- Клиент Steam стал 64-битным — поддержка... (1583)
- Мошенники маскируют DDR4 под DDR5: новый... (1431)
- Первый в мире бензиновый авто с HarmonyOS... (1462)
- Оказалось, что машины ASML для производства... (1355)
- Разработчики Lenovo Legion Go 2 могут... (1354)
- Для Nintendo Switch 2 могут появиться... (1390)
- Как китайские компании получают доступ к... (1286)
- Средняя цена продажи смартфонов и ПК в 2026... (1512)
- Новые восьмиядерные Core Ultra 5 335 и 325... (1558)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...