- Nissan Kicks бросит вызов Subaru Crosstrek:... (1262)
- Toyota Camry вернется в Японию спустя 23... (1523)
- 10 000 мАч, 100 Вт, Snapdragon 8 Elite Gen 5... (1343)
- Китайский конкурент американской Falcon 9:... (1229)
- 16-контактный разъём продолжает выводить из... (1353)
- Samsung Galaxy Z Fold8 получит как минимум... (1285)
- Как у Sony, только с гораздо большим... (1201)
- В Узбекистане могут построить настоящий... (1290)
- Видео: китайский популярный певец выступил с... (1324)
- No-RAM PC. Сборщик ПК Paradox Castom начал... (1174)
- Центр умного дома на HyperOS 3: представлен... (1301)
- Выброс аргона и потеря управления: запуски... (1253)
- 6500 мАч, 100 Вт, Snapdragon 7s Gen 4 и... (1730)
- В Китае заработала национальная... (1443)
- Официально: Xiaomi 17 Ultra выйдет раньше... (1326)
- Samsung Galaxy S27 может получить ключевую... (1509)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...