- Прозрачный корпус, 24 000 мАч и выходная... (1501)
- Intel N95, 5 Гбит/с и до 72 ТБ данных — за... (1257)
- Межзвёздный объект 3I/ATLAS пройдет на... (1426)
- Межзвёздный объект 3I/ATLAS пройдет на... (1250)
- РНК «в прямом эфире»: учёные впервые увидели... (1634)
- От курсора к роботам: китайские учёные... (1302)
- SpaceX бесплатно обновляет роутеры... (2266)
- ИИ и ЭЭГ помогли выявить... (1651)
- Тайвань закрепил технологический барьер для... (1358)
- Уолл-стрит снижает оценки ИИ-компаний на... (1395)
- Неожиданно: Российскую орбитальную станцию... (1269)
- Dell укрепляет позиции на рынке... (1521)
- Дорожное ведомство Дании отказывается от... (1472)
- Взрывной рост цен на память DDR5 перевернул... (1548)
- TSMC ускоряет строительство фабрики по... (1502)
- ИИ-код содержит в 1,7 раз больше ошибок, чем... (1378)
Sony представила новую зеркальную камеру SLT-A37
Дата: 2012-05-17 23:45
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Диагональ дисплея у новой модели iPhone может быть увеличена на 0,5 дюйма. По данным осведомленных источников The Wall Street Journal, Apple заказала у своих азиатских поставщиков 4-дюймовые экраны для "айфона" следующего...
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...