- Новая статья: Gamesblender № 780: RE... (3166)
- Слухи: Intel выпустит в 2027 году... (2839)
- Nvidia подняла рекомендованную цену RTX Pro... (2935)
- We will VROC you: Graid Technology продолжит... (2195)
- Вышло приложение ASCILINE Engine для... (2670)
- ИИ-стартап Mistral AI ведёт переговоры о... (2817)
- Почти как в «Дюне»: в Техасе создали куртку... (2149)
- Компактный ИИ-компьютер AMD Ryzen AI Halo на... (2775)
- Авторитетное консалтинговое агентство KPMG... (2653)
- Учёные создали беспроводной нейростимулятор... (4174)
- Netgear обвинила американскую часть TP-Link... (2073)
- Google начала развёртывать поисковых... (2965)
- SpaceX построит завод Gigasat для массового... (2154)
- Водители Tesla научились обманывать... (2761)
- Генпрокуроры нескольких штатов США запустили... (2341)
- Состоялся первый испытательный полёт Helios... (2277)
SK Hynix выпускает память DDR3L-Reduced Standby для мобильных устройств
Дата: 2012-09-15 10:11
Критически важным показателем электронных компонентов для мобильных устройств является энергопотребление, поскольку от него зависит время автономной работы. Увеличить автономность ультрабуков и планшетов призвана новая память, представленная компанией SK Hynix под обозначением DDR3L-RS (Reduced Standby). По словам производителя, эта память, выпускаемая по технологии 20-нанометрового класса, существенно снижает энергопотребление в режиме ожидания.

По оценке компании, DDR3L-RS в режиме ожидания потребляет на 70% меньше энергии, чем DDR3L, не уступая последней по производительности.
Производитель предлагает отдельные микросхемы, предназначенные для монтажа на плату электронного устройства, и готовые модули памяти. Доступны микросхемы плотностью 2 Гбит, 4 Гбит и 8 Гбит, и модули SO-DIMM объемом 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ.
Как утверждается, новая память по цене привлекательнее памяти с пониженным энергопотреблением LPDDR3, а по энергопотреблению - привлекательнее памяти DDR3L.
Напомним, в активе компании Micron тоже есть подобная разработка - память DDR3Lm , которая отличается от памяти типа DDR3L пониженным потреблением в режиме регенерации.
Источник: SK Hynix
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Появились первые изображения камеры Panasonic GH3 и объектива LumixG X 35-100mm f/2.8
Приближение выставки Photokina ощущается по нарастающему потоку сообщений о новинках в категории фототехники. Источник опубликовал первые изображения камеры Panasonic GH3 и объектива LumixG X 35-100mm f/2.8 - ожидается, что эти изделия японский производитель представит на следующей неделе в Кельне. Основой Panasonic GH3 станет датчик изображения типа CMOS разрешением 16 Мп....
PowerSkin предлагает чехол-батарею для Samsung Galaxy S III с поддержкой NFC
На сайте PowerSkin появился новый продукт - дополнительная батарея для смартфона Samsung Galaxy S III, интегрированная в защитный чехол. По словам производителя, новинка является первым чехлом-батареей с поддержкой NFC. Емкость аккумуляторной батареи составляет 1500 мА∙ч. По оценке компании, ее заряда достаточно для работы смартфона в течение почти трех часов (до 97 часов в...
Твердотельные накопители Silicon Power серии Slim толщиной 7 мм предназначены для ультрабуков
Компания SP/Silicon Power представила твердотельные накопители серии Slim. Устройства типоразмера 2,5 дюйма имею толщину всего 7 мм, что, по мнению производителя, делает их особенно подходящими для использования в ультрабуках. Накопители построены на контроллерах SandForce оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Серию Slim открыли модели Slim S60 и Slim S70. Скорость чтения в случае...
В накопителях Mach Xtreme Technology MX-ES флэш-память типа SLC NAND объединена с интерфейсом USB 3.0
Ассортимент компании Mach Xtreme Technology пополнился флэш-накопителями серии MX-ES, в которых используется флэш-память типа SLC (Single Level Cell) NAND и интерфейс USB 3.0. Использование памяти SLC NAND позволило повысить производительность и увеличить срок службы по сравнению с накопителями, в которых используется память типа MLC (Multi-Level Cell) NAND. Раскрыть потенциал...