- Россияне активно меняют свои Lada Granta на... (204)
- В Китае на службу заступил «робокоп»: первый... (281)
- Asus показала на CES первый игровой ноутбук... (343)
- В Таиланде начали превращать Tank 300 в... (262)
- Килограммовый ноутбук, который справится... (381)
- 14-дюмовый ноутбук массой менее 1 кг с... (224)
- «Павербанк», который умеет делиться на две... (691)
- Windows 11 продолжает превращаться в... (681)
- Представлены Edifier M90: компактные... (837)
- Asus представила 16-дюймовый ноутбук Zenbook... (445)
- Zotac представила пассивный мини-ПК объёмом... (454)
- Покупатели оценили смартфон Honor c батареей... (486)
- Не Windows и даже не Linux. Asus представила... (1001)
- OLED экран 2.8К, 30 часов автономности и... (974)
- Скидки до 700 тыс. рублей, но цены выросли:... (412)
- Этот мини-ПК позволяет создать хранилище... (785)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...