- Экран 120 Гц, IP69K, аккумулятор на 7200... (1943)
- Илон Маск не одобрит: представлен новейший... (1738)
- TikTok согласилась выплатить $400 млн в США... (1562)
- Представлен смартфон Honor Turbo 5G с... (1719)
- Новые смартфоны Xiaomi с аккумуляторами на... (1962)
- Первый смартфон Xiaomi с батареей 10 000... (1922)
- OpenAI решила снизить расценки на доступ к... (3017)
- Ракета приземлилась, но лишилась «ноги»:... (2535)
- Грандиозная идея Илона Маска оказалась... (3128)
- В первый раз на орбиту: названа дата запуска... (3191)
- Более 200 сотрудников Apple попали под... (1971)
- OpenAI добавит в ChatGPT защиту отдельных... (1378)
- Tesla переворачивает производство батарей:... (2896)
- Хакеры научились скрывать команды для... (3097)
- Китайский отзыв электромобилей Tesla... (2672)
- Компактный моноблок, который может заменить... (1934)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...