- 70 Вт в кармане. Очень компактная зарядка... (531)
- В Тольятти засняли прототип Lada Azimut в... (552)
- Стартовали продажи Volkswagen Tayron L 2026:... (566)
- «Китайский Porsche» под названием Exeed ET5... (493)
- Японский электрокар Owl Roadster установил... (598)
- Новая статья: PowerWash Simulator 2 — опять... (533)
- NASA возвращается в миссию марсохода... (464)
- Team Cherry подтвердила работу над DLC для... (742)
- Американцы стали уходить из X, отдавая... (526)
- Марсоход Perseverance услышал возможные... (670)
- Раскладушка с нетипичным экраном 16:10... (439)
- Быстрый 400-герцевый монитор всего за 260... (445)
- SpaceX готовится к повторной попытке запуска... (627)
- Google внезапно самоустранилась из... (463)
- Erying выпустила настольные материнские... (667)
- Хитрый трюк помог станции NASA развенчать... (800)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...