- Electronic Arts запустила платформу EA... (1650)
- Anthropic начала переговоры с американскими... (1363)
- Представители Anthropic встретились с... (1372)
- Qualcomm интересуется покупкой стартапа... (1319)
- Qualcomm интересуется возможностью покупки... (1786)
- «Буду смотреть в стену»: Великобритания... (1832)
- Со следующей весны Великобритания запретит... (1870)
- В F******k появится AI Mode — ИИ-поиск по... (1226)
- В F******k появится новый поиск в режиме AI... (1191)
- Apple объяснила, почему обновление Siri... (1167)
- Apple объяснила почему обновление Siri в iOS... (1936)
- Пользователь подал на Anthropic суд из-за... (1340)
- Пользователь Claude обратился в суд на... (1962)
- Маск проиграл Альтману в суде ещё раз — иск... (1524)
- Суд отклонил иск xAI к OpenAI в отношении... (1185)
- Новая статья: Обзор смартфона Xiaomi 17... (1206)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...