- Double Fine, Ninja Theory и другие студии... (1083)
- Qualcomm готовится к миру без приложений и... (1062)
- Индия заблокировала Telegram перед... (2079)
- Чистые убытки OpenAI выросли в восемь раз в... (1379)
- Fox купила конкурента Netflix за $22... (924)
- DJI представила карманную камеру Osmo Pocket... (1348)
- Microsoft 365 Copilot приспособили для кражи... (1451)
- Сюжетная ролевая игра The Life and Suffering... (1202)
- IMEC создала первый квантовый чип на High-NA... (1284)
- «Базис» и Т2 развернули первое в России... (1647)
- Microsoft ускорит встроенные в Windows 11... (1820)
- Xbox закроет студию Compulsion Games и... (2014)
- NextSilicon готовит 128-ядерные серверные... (954)
- К Чемпионату мира по футболу в России... (1759)
- Власти США испугались, что ИИ-модели Mythos... (1460)
- Electronic Arts запустила сервис для... (1036)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...