- В России появятся отечественный автомобиль... (240)
- Представлена совершенно новая «ГАЗель» с... (278)
- Чтобы не повторить опыт «Аккую»: первая АЭС... (298)
- Mac Studio и Mac Pro с чипами Apple M4 Ultra... (233)
- SpaceX запустила межпланетную станцию Hera... (190)
- «Мы жаждем расширения бизнеса», — Samsung... (272)
- «Мы жаждем расширения бизнеса», — Samsung... (284)
- «Голливуд у вас в кармане»: Apple... (287)
- К «Авито Путешествиям» подключили отели:... (207)
- «Спрос пугающе огромен», — Foxconn строит... (238)
- Амбициозный мод Fallout: Nuevo Mexico для... (280)
- «Буханка» рулит. Стало известно, сколько... (250)
- Первый автомобиль от производителя iPhone:... (222)
- Марсоход Curiosity обнаружил новые сценарии... (303)
- Марсоход Curiosity обнаружил новые цсенарии... (248)
- Представлена карманная клавиатура Lunar со... (276)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...