- Австралийские учёные создали аккумулятор... (3849)
- YouTube стал закидывать блогеров миллионами... (4165)
- Pine64 прекратила выпуск Linux-устройств... (5559)
- Представлен безногий человекоподобный робот... (3298)
- Российские ИТ-гиганты внезапно ринулись в... (2580)
- На Солнце произошла сильнейшая за август... (3118)
- Учёные доказали: ИИ-картинки зачастую нельзя... (3492)
- Хакеры добрались до «Госуслуг» через... (3081)
- Свет вместо электричества: российские ученые... (6201)
- Кадры почти как у SpaceX: 12 обычных... (2503)
- Утечка геймплея The Duskbloods показала, как... (3123)
- Представлен робот Xiaomi нового поколения:... (3243)
- Сверхъяркий лазерный 4K-проектор с... (3515)
- Живые фото и видео: в России показали... (2746)
- В России показали кастомный складнойiPhone... (3214)
- Видеокарта Intel Arc Pro B70 всего за месяц... (4126)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...