- Сооснователи Kingston Technology в этом году... (942)
- Starship разрешили запускать с новой... (1400)
- Поймать ракету и снова отправить её в космос... (937)
- Dell решила намертво прикрутить скандально... (1443)
- Starlink посреди океана: геймер запустил CS2... (868)
- Глава SK Group заявил, что из-за дефицита... (1426)
- Новая статья: AGI: и хочется, и... (1493)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS устроила водяной... (1523)
- Пять шаровых скоплений Fornax сохраняют... (1015)
- Загадка горящих RTX 5090 раскрыта?... (955)
- Новый метод расчёта траекторий к Луне... (945)
- Самый мощный подводный траншеекопатель NKT... (897)
- Китайский квантовый процессор Chaung-tzu 2.0... (1598)
- Проект «Роснано» по выпуску памяти MRAM... (1926)
- Новый Kia Sportage выходит в Китае 5 марта:... (1534)
- Не тот магнетизм: учёные выяснили, откуда на... (1040)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...