- Blue Origin назвала экипаж суборбитального... (491)
- DeepSeek бросает вызов GPT-5 и Gemini 3 Pro:... (482)
- Российские Kia и Hyundai (Solaris) быстро... (436)
- iPhone 17 теряет антибликовую способность,... (683)
- Крысы распробовали быстрый интернет: жители... (629)
- Российский ИИ будет разруливать пробки на... (620)
- Ubisoft подтвердила, что многострадальный... (441)
- Россиянам не нужны «Москвичи»? Продажи... (379)
- Робот-каратист T800 получил 29 степеней... (509)
- 16 500 км за 3,5 часа и 15 минут на... (526)
- С белорусскими кроссоверами Zubr всё не так... (506)
- АвтоВАЗ ответил на важный вопрос о бензине и... (953)
- Власти Индии передумали принуждать... (390)
- Индийские власти отказались от требований... (516)
- Появились цены на полноприводный Tenet T4... (756)
- Появились цена на полноприводный Tenet T4... (625)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...