- Раскладушка с нетипичным экраном 16:10... (815)
- Быстрый 400-герцевый монитор всего за 260... (821)
- SpaceX готовится к повторной попытке запуска... (1070)
- Google внезапно самоустранилась из... (811)
- Erying выпустила настольные материнские... (1044)
- Хитрый трюк помог станции NASA развенчать... (1307)
- Амбициозный авиасимулятор «Корея. Серия... (1043)
- OpenAI урезала лимиты на генерацию контента... (1664)
- По слухам, Apple возобновит сотрудничество с... (984)
- Перенос GTA VI не помешает Forza Horizon 6 —... (949)
- Гуманоидный робот AgiBot A2 без остановки... (1058)
- Intel снова вернётся в ноутбуки Apple,... (953)
- Роскомнадзор объявил о начале блокировки... (805)
- «Дорога была долгой, но скоро мы будем... (938)
- После App Store и iOS очередь дошла до Apple... (1163)
- ТАСС: подтверждён дальнейший ввод... (1355)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...