- 98 дюймов, 288 Гц, панель QD-Mini LED, Dolby... (924)
- Для невышедших Intel Xeon Granite Rapids-WS... (534)
- АвтоВАЗ разогнался — Lada Iskra больше не... (807)
- Мощная конструкция и оснащение для... (774)
- Камера даже чуть хуже, но мощность зарядки... (586)
- Текущая катастрофа на рынке ОЗУ образовалась... (649)
- Аудитория условно-бесплатного ролевого... (842)
- Китайская замена Land Cruiser получила... (854)
- AMD случайно подтвердила подготовку Ryzen 7... (917)
- В Китае построили тоннелепроходческий... (583)
- Microsoft снова немного «сломала» Windows... (855)
- Психологический хоррор The 9th Charnel о... (790)
- В России взлетели продажи Lexus — почти на... (596)
- На процессоре будет установлен большой куб... (701)
- Samsung станет крупнейшим производителем... (837)
- Продажи системных плат рухнули вдвое из-за... (671)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...