- Intel, это даже хуже, чем Ryzen 9000. Core... (605)
- Китайская карманная клавиатура со встроенным... (418)
- Китайская карманная клавиатура со встроенным... (411)
- Критики вынесли вердикт ролевой игре... (348)
- Стала известна предполагаемая дата... (336)
- Именно в этот день, как ожидается,... (1427)
- Telegram разрешил пользователям подавать... (420)
- SpaceX отправила космический аппарат Hera на... (223)
- Creative Assembly официально подтвердила... (251)
- В Россию впервые привезли Renault Talisman:... (290)
- Renault Arkana с гарантией 3 года или 100... (216)
- В России создан 50-кубитный ионный квантовый... (368)
- Материнские платы ASRock Z890 для Intel... (342)
- Замена Toyota Land Cruiser Prado и Kia... (329)
- Samsung близка к утрате статуса крупнейшего... (305)
- Samsung близок к утрате статуса крупнейшего... (315)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...