- Папа Лев XIV призвал священников не... (1089)
- «Приватный экран» в Samsung Galaxy S26 Ultra... (1016)
- Разные режимы работы экрана Samsung Galaxy... (790)
- Массовое производство iPhone 18 Pro и iPhone... (1137)
- Honor ворвётся на рынок человекоподобных... (819)
- Разработчики человекоподобных роботов теперь... (764)
- На Android вышел ИИ-сервис диктовки Wispr... (1103)
- Акции Nvidia упёрлись в потолок и даже... (781)
- В России почти 75% новых машин оснащены... (893)
- Плееры iPod вернулись в моду — продажи... (1168)
- Китайская CXMT обрушила цены на DDR4 — вдвое... (913)
- OpenAI осталась без собственных... (1019)
- Tencent закрыла новую студию скандального... (975)
- Honor Magic V6 и загадочный Honor Robot... (985)
- Honor Magic V6 и зазадочный Honor Robot... (1042)
- Nothing Phone (4a) с обновлённой панелью... (769)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...