- Российский Hyundai Creta (Solaris HC)... (643)
- Белая до кончиков всех разъёмов. Asus... (657)
- Радиосигнал межзвёздной кометы 3I/ATLAS... (708)
- Intel хочет вернуть побольше больших ядер?... (702)
- Катастрофа на рынке DRAM распространяется и... (654)
- Возвращение блудного разработчика: бывший... (666)
- Microsoft предупреждает: ИИ-агенты в Windows... (710)
- Ничего личного, просто бизнес: подразделение... (509)
- Ничего личного, просто бизнес: подразделение... (592)
- 7000 мАч, 100 Вт, тройная 50-мегапиксельная... (731)
- Стало известно, насколько большой... (656)
- Li Auto сдаёт позиции, продажи просели на... (624)
- «Первый в мире шлем с дополненной... (610)
- Сколько минимально денег нужно россиянину... (650)
- «Билайн» ускорил работу Rutube, Мах и других... (604)
- Британский автопром загибается: выпуск машин... (885)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...