- Миниатюрный ПК Core Ultra X7 и 64 ГБ... (2750)
- Мобильная сетевая карта и роутер в форме... (3062)
- 5G-новинки Acer показали на живых... (2865)
- Samsung готова выпустить стабильную One UI 9... (2998)
- Samsung Galaxy S25 получил обновление камеры... (2990)
- Первый смартфон Motorola с Android 17 из... (2944)
- В Tesla есть Grok, а в машинах с Apple... (2669)
- Аккумулятор на 8000 мА•ч, OLED-экран на 120... (2977)
- iPhone Duo? Apple может назвать свой... (3433)
- Выручка Foxconn на крыльях ИИ-бума в августе... (2815)
- Два RJ-45, USB-C и складная антенна:... (4315)
- Первая в мире полностью прозрачная игровая... (4544)
- Verbatim представила аккумуляторы AA и AAA с... (4228)
- Будущую Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro... (4540)
- Кто-то выпустил ультракомпактную GeForce RTX... (4117)
- «Мы на орбите! И мы только что вошли в... (3909)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...