- Ryzen 7 9800X3D хорошо «умирает», но и... (2774)
- Власти Нидерландов захватили «дочку»... (5577)
- Режим чтения в Google Chrome для Android... (2888)
- MSI возвращает культовую линейку видеокарт... (2888)
- Нужно ещё больше памяти для новых... (2385)
- Началось: Asus поднимает цены на свои... (2316)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (3262)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (2223)
- С Новым, 2026 (2305)
- С Новым 2026 (2580)
- Израиль первым в мире принял на вооружение... (2336)
- Инсайдер раскрыл улучшения камеры Samsung... (2124)
- Ryzen 9800X3D умирают даже чаще, чем сгорают... (2816)
- Первый смартфон Трампа откладывается на 2026... (2339)
- Обнаружено редчайшее слияние сразу трёх... (2381)
- Спрос на H200 в Китае в три раза превысил... (2497)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...