- Большой и просторный Hyundai, которому не... (3558)
- Боевик Samson от создателя Just Cause выйдет... (3420)
- Monjaro выходит в премиум. Представлен новый... (3304)
- Samsung будет продавать старый смартфон под... (3433)
- Амбициозная вампирская ролевая игра The... (3151)
- Вместо кешбэка и бесплатного Wi-Fi: в Китае... (3358)
- Безрамочный смартфон Tecno показали спереди... (3555)
- Motorola тоже хочет широкий складной... (3187)
- Большое никакого безлимитного гейминга.... (2700)
- Видеокарты Radeon RX 9070 XT и GeForce RTX... (3214)
- Тесты показывают, что при активации DLSS 5... (3807)
- Samsung будет делать упор на бюджетные... (3349)
- Суд разрешил конкуренту X использовать слово... (3345)
- Claude формализовал доказательство Великой... (2972)
- Mitsubishi Pajero превратится в кроссовер и... (2928)
- Это первый профессиональный OLED-монитор... (3424)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...