- Мировым поставкам ноутбуков предсказали... (2271)
- SoftBank успела завершить рекордные... (2206)
- Представлен первый роутер Dreame: Wi-Fi 7 до... (2413)
- Riot «слила» трейлер с датой выхода релизной... (2809)
- Беспилотные Tesla проехали суммарно более 11... (2573)
- Daewoo запатентовала в России название и... (2481)
- Владелец TikTok планирует потратить более 14... (2696)
- Вычислительная мощность Colossus 2... (2445)
- Lenovo приготовила четыре новых ПК на... (2122)
- Новый Redmi со 100-ваттной зарядкой одобрен... (2621)
- Китайские власти упрекнули Нидерланды в... (2073)
- Память становится привилегией: Samsung и SK... (1852)
- Камни вместо видеокарты за $1200 и памятная... (2012)
- Редкий Mercedes-Benz S-класса («Кабан») из... (2328)
- Илон Маск купил третье здание для проекта... (2402)
- В России продают 30-летний BMW Alpina B12 с... (1979)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...