- Впервые в истории в Steam за неделю вышло... (5183)
- Intel заявила о самом быстром улучшении... (5195)
- GeForce RTX 3060 всё ещё самая популярная, а... (5441)
- В Steam впервые за неделю вышло более 700... (5457)
- Земные микробы могут пережить высадку на... (5766)
- Бренд Dell, автономность до 23 часов,... (5073)
- Этот ноутбук предлагает 12 ГБ ОЗУ и новый... (5745)
- Это первый в мире ноутбук с 64-поточным... (5508)
- К Альфе Центавра предлагают отправить... (4911)
- У автора Hardware Unboxed чуть не сгорела... (4944)
- Nvidia рассказала, что DLSS 5 никак не... (5140)
- CD Projekt Red отчиталась об успехах за... (5204)
- В грозу между струйками: Google увернулась... (5214)
- Кооперативный хоррор Reanimal от создателей... (5441)
- Sugon готовит первую мобильную рабочую... (5500)
- Смартфоны получат аналог Nvidia DLSS: её... (5488)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...