- Компания HKC анонсировала несколько новых... (2160)
- SK hynix начнёт производство чипов памяти... (2443)
- 6500 мАч, 100 Вт, IP68 и Snapdragon 7s Gen... (2106)
- В России уже сертифицируют новый смартфон... (2193)
- Бюджетный Poco M8 представят в январе, он... (2116)
- Робот-боец Unitree G1 ударил инженера ниже... (2198)
- Еще больше устройств Xiaomi и Redmi получат... (3318)
- HyperOS 3 выйдет для большего количества... (2070)
- Xiaomi выпустит HyperOS 3 для большего... (2199)
- По одной в руки. В Японии начали... (2017)
- «Трудно сказать, когда поступит следующая... (2072)
- Honor уверяет: суперхит Honor Win использует... (2599)
- 10 000 мАч, 100 Вт, 185 Гц, IP69K,... (2114)
- 10 000 мАч, 100 Вт, 185 Гц, IP69K,... (2301)
- Thermaltake выпустила СЖО с 6,67-дюймовым... (2138)
- Apple к концу года удалось уравновесить... (2390)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...