- У новейшего Samsung Galaxy Z Fold 8 начал... (4693)
- Vivo X500 получит флагманскую камеру Sony,... (5370)
- Спутник «Роскосмоса» показал Непал до и... (4970)
- Чтобы высадить людей на Луне не позднее 2028... (5322)
- Роскошный Li L9 Livis официально приехал в... (6092)
- Toyota RAV4 получит новые внедорожные... (5885)
- 7200 мАч, 120 Вт, 200 Мп — за 700 долларов.... (5504)
- 7000 мАч, 120 Гц и 256 ГБ за 135 долларов.... (5753)
- Kia установила новый рекорд продаж в США —... (5773)
- Полноценная подвеска, мощный мотор Bosch и... (5977)
- Сверхтонкий водозащищенный мобильный... (6322)
- Новая статья: Один GPU хорошо, а два лучше:... (6054)
- Ничего святого. Представлен совершенно новый... (5885)
- 16-ядерный Intel Core Ultra X7 358H и до 96... (6067)
- 5K/165 Гц и Full HD/1000 Гц. Представлены... (6094)
- AMD показала 17-кратный выигрыш 3D-памяти по... (6143)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...