- 9000 мАч, 165 Гц и Snapdragon 8s Gen 4:... (2491)
- Этот компьютер точно никогда не перегреется:... (3347)
- Лучше Honor Magic8 Pro снимает только... (2933)
- Сапфир вместо германия: в России создали... (3709)
- Механическая клавиатура формата 1800 без... (3462)
- Samsung представит новую акустику для дома... (3654)
- Расплатиться за бургер дискетой. Тайваньская... (3332)
- Новый год без сюрпризов из космоса: до... (2591)
- Реклама в ChatGPT. OpenAI рассматривает... (2727)
- Зеленый свет на Восточном: Госкомиссия... (3655)
- Найдена и восстановлена единственная копия... (2946)
- Очень редкую «Волгу» ГАЗ-24-10 продают в... (2747)
- И эта часть iPhone будет произведена в США.... (2624)
- Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт... (3519)
- 488 л.с., запас хода 1405 км и люксовое... (2209)
- Даже Google и Microsoft не удаётся... (3303)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...