- CD Projekt Red признала, что решение... (5476)
- 8000 мАч, 100 Вт, 200 Мп, большой экран 6,9... (4609)
- Acer представила пару компактных ПК для... (5114)
- Acer представила портативную консоль... (4752)
- Представлен 7-дюймовый игровой ПК Acer... (5032)
- В октябре SpaceX и Helogen отправят на... (4496)
- Где есть бензин? Поиск Яндекса покажет... (4744)
- Геймплейное видео триллера Ontos от авторов... (4979)
- Microsoft повысит безопасность Windows 11... (5523)
- Представлен Acer Swift Blade 14 —... (4575)
- Huawei объявила о старте глобальных продаж... (4471)
- Российским разработчикам электроники... (4626)
- Acer показала необычный игровой трансформер:... (4362)
- Суд в Москве оштрафовал Telegram, Pinterest... (5225)
- Acer представила ноутбук Aspire G 3D 16 с... (4675)
- Acer представила Project DualPlay Mini —... (4592)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...