- OpenAI сообщила о разработке системы... (5754)
- За пару лет Broadcom намеревается увеличить... (5388)
- iPhone Ultra откажется от Face ID и станет... (5073)
- ПК размером с роутер получил 192 ГБ памяти и... (5125)
- Упаковку iPhone 18 показали на странном фото... (5352)
- Робот устроил драку с людьми в российском... (4987)
- Windows 11 набрала почти 71 % среди... (5658)
- M**a выпустила модель Muse Spark 1.3 —... (5898)
- Sony Pictures экранизирует олдскульный... (5511)
- Лучший 2K-экран от Samsung за всю историю и... (5334)
- Будущее наступило: Tesla запускает сервис... (5400)
- Услуги Intel по передовой упаковке чипов... (6120)
- «Это неиграбельно»: пользователи Steam... (5683)
- Высокоскоростной спутниковый интернет с... (4314)
- В WhatsApp выявлена уязвимость, позволяющая... (6152)
- Rocket Lab запустила ракету Electron — на... (5899)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...