- Забыл сюжет? «Звук» добавил ИИ-краткое... (5375)
- Honor рассказала, как испытывает смартфоны... (5991)
- Первый смартфон почти без рамки, с датчиком... (4541)
- Первый смартфон с датчиком Samsung ISOCELL... (4883)
- Punkt E взял под управление 425 зарядных... (5476)
- TCL обвинила Samsung в продаже обычных... (5663)
- Легендарный производитель экшен-камер GoPro... (5282)
- В России построят новый завод по сборке... (4511)
- Foton впервые возглавил рынок новых пикапов... (5254)
- Неубиваемый «тонкий» смартфон с батареей 16... (5099)
- Марсу понадобился свой интернет: NASA... (5255)
- Более 100 моделей Xiaomi и Redmi уже... (6665)
- Заменитель Volkswagen Tiguan за 2,89 млн... (5389)
- Apple разрешила разработчикам приложений для... (5623)
- Российские ученые нашли способ сделать... (5292)
- Российские ученые нашли способ сделать... (4987)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...