- На Солнце произошла самая мощная с начала... (2479)
- В 2025 году дипфейки стали почти неотличимы... (2625)
- Первую партию Xiaomi 17 Ultra Leica Edition... (6622)
- Fujifilm представила картриджи LTO Ultrium... (2686)
- Видеокарты AMD начнут дорожать в январе, а... (2853)
- От GeForce RTX 3050 до RTX 5060 Ti.... (2676)
- «Дом без труда». LG готовится представить... (2812)
- Xiaomi YU и Xiaomi под защитой в России:... (2732)
- Китай запустил свой самый мощный... (2827)
- Полупроводниковая стратегия Европы... (2746)
- Память рекордно подорожала, но настоящие... (2702)
- Новый глава NASA пообещал вернуть... (2348)
- Учёные в 10 000 раз уменьшили самого... (2951)
- 10 080 мАч, 80 Вт, 120 Гц, Dimensity 8500... (3461)
- ECOVACS представила в России флагманский... (2803)
- От 0 до 700 км/ч за 2 секунды.... (2688)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...