- DDR4 теперь стоит в 8,6 раза дороже, чем... (5958)
- ИИ разогревает чипы до предела — TSMC хочет... (4991)
- Производство российских диодов и... (6099)
- Постоянный полный привод, рама и колесная... (6060)
- Минцифры РФ потребует особых привилегий для... (4972)
- Изогнутый AMOLED-экран с частотой 120 Гц,... (5768)
- Китай создал «маленький литограф» для 14-нм... (5382)
- Rockstar представила первый официальный... (5078)
- Samsung продаёт обычные телевизоры под видом... (5054)
- Представлена новая версия часов Huawei Watch... (5147)
- Стиральная машина Xiaomi с тремя... (4296)
- Первый телевизор Xiaomi RGB-Mini LED с... (5104)
- Рассчитан на миллион включений: представлен... (4904)
- Представлена новейшая умная розетка Xiaomi с... (5231)
- Глава Xiaomi перешёл на смартфон в новом... (5094)
- Представлен дешёвый ночник Xiaomi, заряда... (5038)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...