- Российские ученые нашли способ сделать... (4993)
- Мощный ПК размером с ладонь и поддержкой до... (5227)
- Тройной праздник: Capcom улучшила... (4812)
- Dell зарабатывает на ИИ больше, чем на ПК —... (5311)
- Сибирь может получить системы накопления... (5194)
- Приложения российских банков снова можно... (4353)
- Межзвёздная комета Борисова меняла... (5145)
- «МегаФон» начал продажи фирменных... (5267)
- Samsung неожиданно выпустила One UI 9 Beta... (5069)
- SpaceX строит собственные электростанции.... (5815)
- Ни одного случая самопроизвольного... (5159)
- Ubisoft объяснила, почему Heroes of Might &... (5208)
- По всем параметрам лучше Grok 4.6: новая... (5085)
- 144 Гц, Snapdragon 8 Elite Gen 5, батарея на... (5496)
- Xiaomi впервые показала свой новый флагман с... (5600)
- В России доступ к банковским и другим... (5614)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...