- Мощность 2 л.с., карбоновая рама, батарея... (5426)
- Xiaomi представила POCO X8 — смартфон... (6424)
- Razer представила Prio — складной геймпад... (5823)
- Пошаговая ролевая игра Warrior Cats: Clans... (5681)
- Совершенно новый Mitsubishi Pajero:... (6153)
- 20 000 мАч и 55 Вт за 45 долларов. Anker... (5342)
- Немецкий автопром в кризисе: Volkswagen... (6038)
- Mazda анонсировала беспрецедентное... (6133)
- Шесть колес, полный привод, два лидара и... (5866)
- Складной iPhone Ultra и iPhone 18 Pro Max... (5819)
- «Вито в сделку не входил»: в масштабной... (6373)
- В России научились ремонтировать... (5916)
- Современная замена устаревшим Ан-24:... (5627)
- Япония пересматривает школьную программу и... (5542)
- «Предъявите ваш QR-код»: водительские права... (6033)
- «Надёжность и долговечность»: Джон Тернус... (5544)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...