- «Надёжность и долговечность»: Джон Тернус... (5544)
- Ролевой боевик No Rest for the Wicked от... (5675)
- Sonos представила полностью переработанный... (5267)
- Свежий драйвер GeForce 616.56 заставил... (5159)
- Sonos представила наушники Ace Ultra с... (6394)
- 80 % разработчиков Star Wars Zero Company... (5599)
- Sonos попытается вернуть доверие... (5647)
- Умный потолочный вентилятор со встроенным... (5754)
- Самая дешёвая GeForce RTX 5090 теперь стоить... (6176)
- Учёные создали дрон с «кошачьими когтями» —... (5727)
- В России ужесточили поддержку разработчиков... (5791)
- Mozilla встроила блокировщик рекламы в... (5513)
- Фтор «уступает дорогу» литию: ученые... (5941)
- Относительно недорогой велосипед с мотором... (6048)
- Anthropic вновь разрешила ИИ-моделям... (5579)
- Steam Deck получила поддержку более 30 тыс.... (5023)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...