- «Союз-5» готов к старту: на Байконуре... (2839)
- 9000 мАч, 165 Гц, Snapdragon 8s Gen 4,... (2899)
- Ryzen 7 5800X – процессор 2020 года – стал... (2749)
- 50 лет назад искусственный интеллект впервые... (3144)
- Новая статья: Rhythm Doctor — в ритме... (3224)
- Нет, Asus всё же не собирается заняться... (2910)
- Intel собрала гигантский ИИ-чип из 16... (2807)
- Huawei собирается выйти на глобальный рынок... (2634)
- 8000 мАч, 144 Гц и совершенно новая... (2816)
- 20 000 мАч, до 190 Вт и цена всего 35... (3233)
- Во флагманских смартфонах Samsung Galaxy S... (2681)
- Культовый российский хоррор «Зайчик» получит... (3121)
- Глава Battlestate Games прояснил, что Escape... (3267)
- Google начала отключать и увозить из России... (3043)
- LG представит робота для суеты по хозяйству... (3050)
- Nvidia введёт лимиты в GeForce Now — 100... (3215)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...