- Представлен Poco X8: 8340 мА·ч, 67 Вт, IP69K... (5554)
- Double Fine пообещала сделать Brutal Legend... (5276)
- От 55 до 98 дюймов, тонкая рамка,... (5896)
- 200 Мп, 8050 мА·ч, 100 Вт, 185 Гц, IP68 и... (6134)
- SilverStone выпустила блок питания HELA... (5065)
- Группа фанатов возродит амбициозный сетевой... (5573)
- Samsung пустила на производство Galaxy Z... (5394)
- При Тиме Куке акции Apple выросли на 2275 %... (5519)
- Новый Google Pixel 11 Pro Max не смог... (5540)
- Google Gemini сможет «думать» в фоне, пока... (5425)
- «Google Сообщения» начали отправлять людям... (5662)
- Asus раскрыла характеристики ноутбука ProArt... (5217)
- Sony запретила владельцам PlayStation... (4868)
- Samsung рассказала, чем будет хороша память... (5612)
- OpenAI отвергла новые обвинения Apple в... (5792)
- Представлен компактный флагман POCO F9 Pro с... (6543)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...