- Илон Маск пообещал xAI больше... (2594)
- В Россию приехали экстремальные Ford Ranger... (2723)
- Sapphire выпустила «беспроводную» Radeon RX... (3513)
- Меньше года до выпуска первого кроссовера... (2818)
- ChatGPT, Gemini, Grok, DeepSeek бесплатно и... (3705)
- «Билайн» открыл бесплатный доступ к... (2215)
- Яндекс выпустил большое обновление «Алисы» и... (4000)
- Российский гибридный кроссовер... (3756)
- Илон Маск: менее чем через 5 лет xAI... (2863)
- 64 ГБ ОЗУ по цене уже близки к MacBook Air.... (2608)
- LG представила игровые мониторы UltraGear... (2428)
- Очередная GeForce RTX 5090 натурально... (2290)
- Экран ноутбука Lenovo ThinkBook Plus Gen 7... (2833)
- В США спроектировали беспилотный грузовой... (2364)
- Несмотря на слабые продажи iPhone Air,... (2321)
- Производитель российского аналога Lego... (2755)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...