- «10 криков на напарника из 10»: в Epic Games... (3130)
- У некоторых ноутбуков Asus есть проблема,... (3867)
- «Лорд-капитан, нам нужен ваш совет»: Owlcat... (3468)
- Эксплуатация ностальгии — на Тайване... (2855)
- Стало известно, когда стоит ожидать... (2811)
- Чёрный экран и подвисания из-за одной цифры:... (3328)
- Китай вторым после Google шагнул к... (3376)
- Создатель Painkiller готов споить режиссёра... (2625)
- Самый быстрый домашний интернет в истории: в... (3472)
- Минуты вместо часов расчётов: Яндекс... (4121)
- Влияние Илона Маска в техноиндустрии упало —... (2670)
- Илон Маск пообещал xAI больше... (2590)
- В Россию приехали экстремальные Ford Ranger... (2719)
- Sapphire выпустила «беспроводную» Radeon RX... (3509)
- Меньше года до выпуска первого кроссовера... (2815)
- ChatGPT, Gemini, Grok, DeepSeek бесплатно и... (3690)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...