- Представлен смартфон с «лучшей камерой 2026... (3366)
- Продажи машин премиум-класса в России... (2630)
- На каток или в небольшой отпуск: каршеринг... (4159)
- Российские пираты теряют главный источник... (2723)
- Framework ещё раз повысила цены на DDR5 для... (3410)
- Альтернатива Land Cruiser 300 от самой... (2655)
- Конкурент флагманского КамАЗа К5 российской... (2669)
- «Leica в каждом аспекте». Представлен Xiaomi... (2415)
- Микроскопия вышла за пределы возможного:... (2487)
- 6800 мАч, 90 Вт, Snapdragon 8 Elite Gen 5,... (3354)
- В отечественном мессенджере Max... (3495)
- Глава Larian: трейлер новой Divinity «не так... (3589)
- Apple отбивает китайский рынок у местных —... (1974)
- Производители попросили доплачивать им до 15... (3328)
- Пользователь купил два SSD Samsung 9100 PRO... (3263)
- Samsung разрабатывает собственный... (8094)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...