- «Сто тысяч благодарностей»: хоррор Bye Sweet... (2340)
- Несимметрично размещённый разъём питания у... (2262)
- От видеозвонков до управления чайником:... (2476)
- Смартфон OnePlus Turbo с батареей на 9000... (2493)
- Российское Yadro создаст собственный... (3495)
- Google позволила пользователям менять адреса... (3678)
- На Auto.ru продают уникальный гибрид: пикап... (2493)
- Непрерывный зум без компромиссов: как... (2837)
- Nvidia собирается продавать Китаю ускорители... (2550)
- Представлен смартфон с «лучшей камерой 2026... (3365)
- Продажи машин премиум-класса в России... (2624)
- На каток или в небольшой отпуск: каршеринг... (4148)
- Российские пираты теряют главный источник... (2717)
- Framework ещё раз повысила цены на DDR5 для... (3404)
- Альтернатива Land Cruiser 300 от самой... (2651)
- Конкурент флагманского КамАЗа К5 российской... (2666)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...