- На «Кинопоиске» появится ИИ-помощник для... (2835)
- Слухи: Amazon готовит реалити-шоу по мотивам... (2832)
- Самая мощная нейросеть Яндекса стала... (2988)
- MOLED LTPS-дисплей от Samsung, аккумулятор... (2673)
- Первый гибридный минивэн Geely с запасом... (2280)
- Zeekr 9S получит ДВС, двухкамерную... (5869)
- Большой внедорожник и полноприводный... (2845)
- Владельцы Tesla в восторге от нового... (2688)
- В России стартовали продажи нового... (2097)
- Стартовали продажи нового флагманского Geely... (2566)
- Grok Илона Маска признан самым точным... (2466)
- OpenAI тестирует «навыки» ChatGPT по образцу... (3280)
- Первый смартфон с батареей более 10 000 мАч:... (2991)
- Европа буксует на «зелёном» повороте:... (2457)
- Судьбу Intel определила 40-минутная встреча... (2441)
- Xiaomi представила настольную акустику Redmi... (2773)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...