- С первой попытки не получилось:... (3411)
- Alphabet покупает разработчика дата-центров... (2512)
- Замена Android удалась: HarmonyOS уже давно... (2625)
- Капитализация Arm теряет миллиарды: Qualcomm... (2503)
- В России появится единый ID для... (2484)
- Глава Larian объяснил, зачем фанатам... (3336)
- Не только 10 000 мА·ч,100-ваттная зарядка,... (2931)
- Погиб создатель Call of Duty. Винс Зампелла... (3045)
- Легендарный Mercedes-Benz S-класс в... (2744)
- Goodram представила 122,88-Тбайт SSD для ЦОД... (3779)
- Легендарный «шестисотый Мерседес» W140 в... (3534)
- ИИ-сеты музыки Яндекса пришли на умные... (3362)
- Xiaomi внезапно выпустила новую прошивку... (3747)
- Китайский заменитель Android подтвердил... (3780)
- OnePlus Turbo с гигантским аккумулятором на... (2375)
- OpenAI признала: у ИИ-браузеров есть... (2966)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...