- Formula V Line FV-1000GM — это полностью... (3027)
- «Искра» зажглась: названы самые популярные... (2328)
- Apple вынуждена обратиться к Samsung за... (2251)
- Попробовали — не сработало: Samsung... (2337)
- Обновление Samsung Galaxy A34 ломает... (2433)
- В России уже покупают представительский... (2844)
- Китайская ByteDance намерена закупить... (2488)
- Насколько хорошо Xiaomi 17 Ultra делает... (2358)
- Телеобъектив следующего поколения. Xiaomi 17... (2555)
- «Вы хотите», с официальной гарантией.... (2917)
- Samsung готовит Wide Fold — складной... (2209)
- Дары моря: в Японии запустят проект по... (2341)
- Акционеры Electronic Arts одобрили сделку по... (2157)
- Свежее обновление One UI 8.5 Beta для Galaxy... (2270)
- Раскрыты масштабные планы Китая на орбиту... (2370)
- Отремонтировать BMW станет гораздо сложнее:... (2138)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...