- Большой плоский экран 165 Гц, аккумулятор... (3266)
- OnePlus 13R получил большое обновление... (2912)
- От космической отрасли до микроэлектроники:... (2986)
- Перископический зум и технология LOFIC.... (3049)
- Санкционная GeForce RTX 5090 массово... (3776)
- В ChatGPT появились персональные итоги года... (3298)
- Первый запуск китайской многоразовой ракеты... (4054)
- Китай провалил вторую попытку догнать SpaceX... (2734)
- Неудачный дебют: первая частная... (2613)
- Концептуальный смартфон Pixel Duo получил... (2242)
- Священник против демонов: инсайдер раскрыл... (3749)
- В «Яндекс Браузере» заработал расширенный... (3643)
- Новые Mitsubishi ASX предлагают в России с... (4345)
- Декабрь 2025 уже вошёл в историю мировой... (3429)
- Очень редкий седан ГАЗ-3111 «Волга» с... (2979)
- Mercedes-Benz выплатит владельцам по 2000... (3548)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...