- BYD стал королём экспорта китайских... (3495)
- США запретили импорт всех иностранных дронов... (3834)
- «Этот движок — чудо. Я не потерплю клеветы»:... (2643)
- Высокий спрос на роботакси Tesla оказался... (2489)
- Первая электробритва профессионального... (2911)
- iRU запустила сервисную программу «iRU... (3634)
- В ChatGPT появилась персональная статистика... (3317)
- Обслуживание Lada Vesta и Iskra оказалось... (3136)
- Из-за роста цен на память выпускать её уже... (2943)
- Около 80 % всех дата-центров мира построены... (3108)
- Китай запустил многоразовую ракету, но... (2905)
- Теперь уж точно всё: петербургские дилеры... (3433)
- Xiaomi 17 Ultra получит новый режим съемки... (3823)
- ECOVACS представила в России флагманский... (2495)
- Выбираем гаджеты в подарок к Новому году с... (4180)
- Третья глава сюжета, новый город и... (2775)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...