- Сенсорные экраны в автомобилях значительно... (2306)
- Компания Unlimited Bio начнёт испытания... (2026)
- OpenAI получит 1,4 ГВт мощности для... (2451)
- «Новое дно для Battlefield»: фанаты... (2471)
- Дубай запустил беспилотные такси Uber в... (2244)
- Airbus переносит ключевые IT-системы в... (2540)
- США буквально отстали от мира — блэкаут в... (2410)
- Новый глава NASA сделал ставку на... (2709)
- Смартфоны Huawei nova 15, nova 15 Pro и nova... (2217)
- Предложен способ строить стартовые площадки... (2179)
- Не только для хардкорных игроков: хоррор... (2149)
- Несмотря на сопротивление Пекина, Nvidia... (2516)
- Хакеры украли 300 Тбайт музыки у Spotify —... (2050)
- Недорогой, довольно большой и тонкий планшет... (2582)
- Gigabyte отказалась от своего проблемного... (2923)
- Компьютерный корпус, способный формировать... (2521)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...