- Samsung почти не будет отставать от SK hynix... (3047)
- Roborock подчёркивает, что при разработке... (3177)
- Valve свернула производство Steam Deck с... (2726)
- Китайские эксперты заявили, что безопасность... (2410)
- Крупнейший производитель ИИ-серверов Nvidia... (3161)
- Сэм Альтман признался, что его абсолютно не... (2433)
- «Москвич» будет собирать китайский кроссовер... (2595)
- Так снимает Xiaomi 17 Ultra. Фото... (2535)
- Представлен умный кондиционер TCL Little... (2858)
- 50 лет легенде: BMW выпустила 18-миллионный... (2721)
- Представлен обновленный Nissan Serena: новое... (2853)
- В Японии представили обновленный минивэн... (2925)
- Nissan Kicks бросит вызов Subaru Crosstrek:... (2399)
- Toyota Camry вернется в Японию спустя 23... (2866)
- 10 000 мАч, 100 Вт, Snapdragon 8 Elite Gen 5... (2438)
- Китайский конкурент американской Falcon 9:... (2207)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...