- Оборудование для синхротрона, СВЧ-клистроны,... (2438)
- Это микро-ПК размером с флешку. Azulle Acces... (2842)
- Зеленый свет для запуска новой российской... (3065)
- Впервые в истории удалось запечатлеть... (2587)
- Следующий складной флагманский смартфон... (3273)
- 400 метров за 4,5 часа — установлен новый... (3391)
- Квантовые процессоры Google и IBM получили... (2479)
- Samsung сделала лучше, чем Apple с её Vision... (2914)
- Россия представила 70-кубитный квантовый... (7337)
- «Возможно, это будет единственный... (2442)
- Китайская компания Moore Threads готовит... (2481)
- Власти США одобрили покупку кусочка Intel... (2677)
- ИИ высосал энергию: Южная Корея ускорит... (2866)
- Ещё одна полностью китайская разработка.... (3189)
- Rocket Lab получила новый контракт на $816... (3221)
- Не только 7400 мАч, Snapdragon 8 Gen 5 и... (2779)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...