- МКС примет международный экипаж SpaceX... (2094)
- ЦЕРН привлёк $1 млрд частных средств на... (2020)
- Прощай, розетка: OnePlus Turbo получит самый... (2553)
- Почему так долго? Просто Apple поставила... (2104)
- Первый блин не должен стать комом: Apple... (2487)
- Они уже не только двигаются, как Брюс Ли, но... (2690)
- Будущую российскую орбитальную станцию... (3598)
- Хоть бы в этот раз не взорвался: первый... (2911)
- Начался выпуск новой «Газели NN»: она... (2651)
- Спустя 45 000 км: главные плюсы и минусы... (3066)
- Volvo регистрирует новые товарные знаки в... (2216)
- Следом за Toyota в России официально... (3317)
- Зонд Parker прошёл максимально близко к... (3764)
- Отечественные рамные внедорожники, похожие... (3639)
- Huawei создала суперхит: продажи Huawei Mate... (3882)
- SoftBank срочно распродаёт активы и занимает... (3119)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...