- NASA пересмотрит архитектуру «Артемиды»... (2117)
- Первый запуск южнокорейской ракеты... (3378)
- Blue Origin выполнила пилотируемый... (3087)
- NASA передумало экономить и объявило дату... (2610)
- Приложение Be My Eyes для помощи незрячим... (2759)
- Google подала в суд на SerpApi, обвинив в... (2775)
- Google пустила в Android альтернативные... (3080)
- Gemini не заменит Google Assistant на... (2839)
- Некоторые автомобили Ford могут внезапно... (3296)
- Google «убила» браузер консоли Sega... (2972)
- Архитектура AMD Zen 6 ориентирована на... (2724)
- Китайская Moore Threads представила... (3227)
- «Сотрудники-бумеранги»: Google стала массово... (3035)
- GeForce RTX 5060 Ti 16GB может временно... (2511)
- Северный магнитный полюс Земли переместился... (3378)
- Китайский ответ Nvidia: Moore Threads... (2820)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...