- «Сотрудники-бумеранги»: Google стала массово... (3037)
- GeForce RTX 5060 Ti 16GB может временно... (2512)
- Северный магнитный полюс Земли переместился... (3383)
- Китайский ответ Nvidia: Moore Threads... (2822)
- Тайвань намерен притормозить зарубежные... (2758)
- Искусственный интеллект научился играть в... (3107)
- Смартфон для фанатов футбола. Motorola... (2917)
- Вот на эти два процента Linux и живёт: Linux... (2901)
- Представлен прямоходящий модульный робот... (2267)
- Представлен прямоходящий модульный робот... (2255)
- Samsung не забывает про старые флагманы:... (1994)
- Карманный компьютер с 12-ядерным Core Ultra... (3352)
- Skoda Karoq существенно подорожал в России:... (2096)
- Экран этого ноутбука умеет «перетекать» на... (2935)
- В 100 раз эффективнее новейших ускорителей... (1953)
- Огромный ноутбук, который может работать,... (2800)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...