- Xiaomi выпустила «самую мощную LLM с... (2685)
- Российский квантовый компьютер приблизился к... (2561)
- В «Алисе AI» запущены ИИ-агент «Найти... (2589)
- Фургоны Lada Largus и Niva Legend получили... (2360)
- От такси до доставки подарка или борща: в... (2565)
- ИИ прямо в ухе: Яндекс представил наушники... (3878)
- Bethesda прояснила будущее Starfield на... (3799)
- Это будет лучший игровой процессор AMD?... (3616)
- Micron предсказала рост рынка памяти HBM до... (3466)
- Micron прямо говорит: дефицит памяти... (3120)
- Акции американских бигтехов обвалились после... (4022)
- «Яндекс» выпустит беспроводные наушники с... (2221)
- Россияне в этом году массово меняли сотовых... (3993)
- Немерцающие экраны и аккумуляторы ёмкостью... (3559)
- iRobot признала фатальные ошибки, но слишком... (2506)
- OpenAI запустила магазин приложений в... (3980)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...